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By Dalbo | Dec 05, 2025

latest update 另外,soi还具有了较高的跨导、降低的寄生电容、减弱的 短沟效应 、较为陡直的亚阈斜率,与体硅电路相比,soi电路的抗 辐照强度 提高了100倍。 在高温环境下,soi器件性能明显优于体. full details 首先 fd soi 的沟道不需要掺杂,因为未掺杂的足够薄的 silicon 才能做到全耗尽。当然你的观点本身就有问题,电子是source和drain和bulk跑到沟道形成耗尽层的,不只是从衬底来的。 其.

Discussion

F
Fajar
Mar 11, 2026

Straight to the point.

👍 9
J
Jordan
Feb 27, 2026

Good explanation.

👍 16
D
Dimas
Mar 17, 2026

Good explanation.

👍 15

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